| PL |
CC |
200 |
HF |
K |
120 |
C2 |
| PL=浦峦 |
Product Type |
Nominal Current |
Circuit configuration |
Die Characteristics |
Voltage/10 e.g.065=650V |
Package Type |
| |
CSD=SiC肖特基二极管 |
IC(@Tc=80°C）as e.g.200=200A |
S=单管(二极管类） |
S=Standard IGBT Low Loss |
Voltage/10 e.g.120=1200V |
V1=45mm*56mm*17 DBC Base |
| |
CJ=SiC JFET |
|
SS=双单管(二极管类） |
T=Trench FS IGBT Low Loss |
Voltage/10 e.g.170=1700V |
W1=34mm*48mm*15.5mm DBC Base |
| |
CM=SiC MOSFET |
|
SA=共阳半桥(二极管类） |
K=NPT IGBT Low Loss |
Voltage/10 e.g.330=3300V |
W2=48mm*57mm*15.5mm DBC Base |
| |
CC=纯SiC模块 |
|
SK=共阴半桥(二极管类） |
U=NPT Ultra Fast IGBT |
|
L1=107mm*45mm*17mm Cu Base |
| |
SGC=低速IGBT-SiC混合模块 |
|
D=单相整流(二极管类） |
F=Advanced Trench FS Ultra Fast IGBT |
|
L2=107mm*45mm*17mm Cu Base |
| |
KGC=中速IGBT-SiC混合模块 |
|
F=三相整流(二极管类） |
C=SiC |
|
G1=122mm*62mm*17mm Cu Base |
| |
UGC=快速IGBT-SiC混合模块 |
|
A=单管（开关器件） |
|
|
G2=122mm*62mm*17mm Cu Base |
| |
FGC=超快速IGBT-SiC混合模块 |
|
HF=半桥（开关器件） |
|
|
G3=122mm*62mm*17mm Cu Base |
| |
MS=MOSFET |
|
D=四单元（开关器件） |
|
|
G4=122mm*62mm*17mm Cu Base |
| |
GL=IGBT低损耗型 |
|
F=六单元（开关器件） |
|
|
C1=94mm*34mm*30mm Cu Base |
| |
GM=IGBT中速型 |
|
G=六单元+制动（开关器件） |
|
|
C2=106mm*62mm*30mm Cu Base |
| |
GU=IGBT快速型 |
|
ML=一字型三电平，三相全桥（开关器件） |
|
|
C3=122mm*62mm*17mm Cu Base |
| |
GW=IGBT快速型（焊机应用） |
|
MT=T字型三电平，三相全桥（开关器件） |
|
|
C4=108mm*62mm*30mm Cu Base |
| |
GF=IGBT超快速型 |
|
TL=一字型三电平（开关器件） |
|
|
C5=122mm*62mm*30mm Cu Base |
| |
DF=快恢复二极管 |
|
TT=T字型三电平（开关器件） |
|
|
S1=31.7*26.3*1.8mm Cu Base |
| |
DL=慢速二极管模块 |
|
P=全桥整流+三相全桥+制动（开关器件） |
|
|
|
| |
|
|
PD=全桥整流+H桥（开关器件） |
|
|
|
| |
|
|
PF=全桥整流+三相全桥（开关器件） |
|
|
|
| |
|
|
PZ=全桥整流+制动（开关器件） |
|
|
|
| |
|
|
ZA=上下斩波模块（开关器件） |
|
|
|
| |
|
|
ZB=双斩波开关在下（开关器件） |
|
|
|
| |
|
|
ZD=斩波开关在下（开关器件） |
|
|
|
| |
|
|
ZU=斩波开关在上（开关器件） |
|
|
|
